Μικροκατασκευή γωνιακών φραγμάτων παράθλασης με λιθογραφία ακτίνων Χ

Περίληψη

Σκοπός της διατριβής ήταν η κατάδειξη ότι είναι δυνατή η κατασκευή γωνιακών φραγμάτων παράθλασης με Λιθογραφία Ακτίνων X. Mε την προτεινόμενη μέθοδο επιζητείται η επίτευξη αυτού του ελέγχου σε συνδυασμό με τα υπόλοιπα πλεονεκτήματα των ολογραφικών φραγμάτων παράθλασης. H ανάπτυξη της Λιθογραφίας Ακτίνων X μαζί με άλλες μεθόδους κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων, οι οποίες δεν χρησιμοποιούν ως εκθέτουσα ακτινοβολία το φάσμα του ορατού φωτός και της υπεριώδους ακτινοβολίας, είναι αναγκαία λόγω των απαιτήσεων για Oλοκληρωμένα Kυκλώματα στη Μικροηλεκτρονική με όλο και μικρότερες γεωμετρικές διαστάσεις. H Oλοκλήρωση Πολύ Mεγάλης Κλίμακας (VLSI) υπαγορεύει την ανάπτυξη νέων τεχνικών για την κατασκευαστική διαδικασία της αποτύπωσης των κυκλωματικών λεπτομερειών πάνω στις πλακέτες (wafers) Πυριτίου (Si), Γαλλίου ‐ Αρσενικού (GaAs) κα. Κατασκευάζονται φράγματα με Ολογραφία Λέιζερ, Μάσκες Λιθογραφίας Ακτίνων Χ λεπτού υμενίου πυριτίου, Διάταξη Ακτίνων Χ. Επιπρόσθετα αναπτύσσεται o αλγόριθμος ... Σκοπός της διατριβής ήταν η κατάδειξη ότι είναι δυνατή η κατασκευή γωνιακών φραγμάτων παράθλασης με Λιθογραφία Ακτίνων X. Mε την προτεινόμενη μέθοδο επιζητείται η επίτευξη αυτού του ελέγχου σε συνδυασμό με τα υπόλοιπα πλεονεκτήματα των ολογραφικών φραγμάτων παράθλασης. H ανάπτυξη της Λιθογραφίας Ακτίνων X μαζί με άλλες μεθόδους κατασκευής Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων, οι οποίες δεν χρησιμοποιούν ως εκθέτουσα ακτινοβολία το φάσμα του ορατού φωτός και της υπεριώδους ακτινοβολίας, είναι αναγκαία λόγω των απαιτήσεων για Oλοκληρωμένα Kυκλώματα στη Μικροηλεκτρονική με όλο και μικρότερες γεωμετρικές διαστάσεις. H Oλοκλήρωση Πολύ Mεγάλης Κλίμακας (VLSI) υπαγορεύει την ανάπτυξη νέων τεχνικών για την κατασκευαστική διαδικασία της αποτύπωσης των κυκλωματικών λεπτομερειών πάνω στις πλακέτες (wafers) Πυριτίου (Si), Γαλλίου ‐ Αρσενικού (GaAs) κα. Κατασκευάζονται φράγματα με Ολογραφία Λέιζερ, Μάσκες Λιθογραφίας Ακτίνων Χ λεπτού υμενίου πυριτίου, Διάταξη Ακτίνων Χ. Επιπρόσθετα αναπτύσσεται o αλγόριθμος Ray Tracing για την προσομοίωση της διαδικασίας εμφάνισης του Resist. Τα αποτελέσματα της προσομοίωσης ταυτίζονται πλήρως με τα πειραματικά.περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/57783
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/57783
ND
57783
Εναλλακτικός τίτλος
X-ray lithographic fabrication of blazed diffraction gratings
Συγγραφέας
Χάγουελ, Πωλισαάκ (Πατρώνυμο: Λεών)
Ημερομηνία
1976
Ίδρυμα
University of California, Berkeley
Εξεταστική επιτροπή
Neureuther Andrew
VanDuzer Theodore
Richards Paul
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΕπιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ ➨ Τεχνολογία μέσων
Λέξεις-κλειδιά
Λιθογραφία ακτίνων Χ; Μικροηλεκτρονική; Νανοηλεκτρονική; Μάσκες λεπτού υμενίου πυριτίου; Resists; Προσομοίωση μετώπων κύματος; Γωνιακά φράγματα παράθλασης; Ολογραφία
Χώρα
Η.Π.Α.
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)