ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΚΑΙ ΟΠΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΥΠΕΡΔΟΜΩΝ SI/GE

Abstract

ΣΤΟΧΟΣ ΤΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΕΙΝΑΙ Η ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΔΟΜΗΣ (ΗΔ) ΚΑΙ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΜΕΝΩΝ ΥΠΕΡΔΟΜΩΝ (ΥΔ) SI/GE. Η ΗΔ ΕΞΕΤΑΖΕΤΑΙ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ ΙΣΧΥΡΗΣ ΔΕΣΜΕΥΣΗΣ ΣΤΗΝ ΟΠΟΙΑ ΕΝΣΩΜΑΤΩΝΕΤΑΙ Η ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΤΗΣ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΗΣ ΣΥΜΦΩΝΑ ΜΕ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΓΙΑ ΤΑ ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΣΗΣ ΤΩΝ SI/GE. ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ CPA ΥΠΟΛΟΓΙΖΕΤΑΙ Η ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗ ΚΡΑΜΑΤΩΝ SI/GE. ΣΥΜΦΩΝΑ ΜΕ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ Η ΠΤΥΧΩΣΗ ΖΩΝΩΝ ΣΤΙΣ ΥΔ ΔΗΜΙΟΥΡΓΕΙ ΝΕΕΣ ΟΠΤΙΚΕΣ ΜΕΤΑΒΑΣΕΙΣ ΣΕ ΕΝΕΡΓΕΙΕΣ ΜΙΚΡΟΤΕΡΕΣ ΑΠΟ 1.0EV. ΟΙ ΥΔ SIN/GE10-N ΚΑΤΑΛΛΗΛΑ ΠΑΡΑΜΟΡΦΩΜΕΝΕΣ ΕΜΦΑΝΙΖΟΥΝ ΕΥΘΥ ΧΑΣΜΑ. Η ΑΤΑΞΙΑ ΠΟΥ ΠΡΟΚΑΛΕΙΤΑΙ ΑΠΟ ΤΗ ΔΙΑΧΥΣΗ ΤΩΝ ΑΤΟΜΩΝ ΣΤΗΝ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΤΩΝ ΥΔ ΑΙΡΕΙ ΤΗ ΔΙΑΤΗΡΗΣΗ ΤΟΥ K ΣΤΙΣ ΟΠΤΙΚΕΣ ΜΕΤΑΒΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΠΡΟΚΑΛΕΙ Α) ΔΙΕΥΡΥΝΣΗ ΤΟΥ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΥ ΧΑΣΜΑΤΟΣ Β) ΜΕΤΑΒΟΛΗ ΤΗΣ ΣΥΝΑΡΤΗΣΙΑΚΗΣ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΤΟΥ ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗ ΑΠΟΡΡΟΦΗΣΗΣ ΚΑΙ Γ) ΔΡΑΣΤΙΚΗΣ ΜΕΙΩΣΗΣ ΤΟΥ ΣΘΕΝΟΥΣ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΜΕΤΑΒΑΣΕΩΝ.

THE PURPOSE OF THIS THESIS IS THE STUDY OF ELECTRONIC STUCTURE (ES) AND OPTICAL PROPERTIES OF STRAINED SI/GE SUPERLATTICES (SL'S). THE ES IS STUDIED WITH THE TIGHT BINDING METHOD AND THE DESCRIPTION OF STRAIN IS INCORPORATED IN AGREEMENT WITH EXPERIMENTAL RESULTS FOR DEFORMATION POTENTIALS OF SI AND GE. WITHTHE APPLICATION OF THE CPA THE DIELECTRIC FUNCTION OF SI/GE ALLOYS IS CELENLATED. ACCORDING TO THE RESULTS THE ZONE FOLDING CAUSES NEW OPTICAL TRANSITIONS AT ENERGIES BELOW 1.0EV IN SL'S. SINCE10-N SL'S, PROPERLY STRAINED, EXHIBITDIRECT GAP. THE DISORDER AS A RESULT OF THE DIFFUSION OF THE ATOMS IN THE SL'S INTERFACE REMOVES K CONSERVATION IN OPTICAL TRANSITIONS AND CAUSES A) WIDENING OF THE ENERGY GAP B) CHANGE OF THE FUNCTION BEHAVIOUR OF THE ABSORPTION COEFFICIENT AND C) DRASTIC REDUCTION OF THE STRENGTH OF THE OPTICAL TRANSITIONS.