ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΟΥ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΣΤΙΣ ΓΑΛΒΑΝΟΜΑΓΝΗΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΠΑΛΛΑΔΙΟΥ

Abstract

ΣΚΟΠΟΣ ΤΗΣ ΠΑΡΟΥΣΑΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΗΤΑΝ ΝΑ ΔΙΑΧΩΡΙΣΤΟΥΝ ΟΙ ΠΕΡΙΟΧΕΣ ΠΕΔΙΟΥ ΚΑΙ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΣΤΙΣ ΟΠΟΙΕΣ ΥΠΕΡΙΣΧΥΕΙ ΚΑΘΕΝΑΣ ΑΠΟ ΤΟΥΣ ΔΥΟ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΥΣ (ΑΣΘΕΝΗΣ ΕΝΤΟΠΙΣΜΟΣ, ΑΕ, ΚΑΙ ΑΛΛΗΛΕΠΙΔΡΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡ.-ΗΛΕΚΤΡ., ΑΗΗ) ΠΟΥ ΕΠΗΡΕΑΖΟΥΝ ΤΙΣ ΓΑΛΒΑΝΟΜΑΓΝΗΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΣΤΙΣ ΧΑΜΗΛΕΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΕΣ. ΓΙΑ ΤΟ ΣΚΟΠΟ ΑΥΤΟ ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΣΤΗΚΑΝ ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ PD (50-600 Α) ΚΑΙ ΜΕΤΡΗΘΗΚΑΝ Η ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ, ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΚΑΙ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ HALL ΣΕ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΕΣ 1.8-4.2Κ ΚΑΙ ΣΕ ΠΕΔΙΑ 0-6Τ. ΟΙ ΙΔΙΕΣ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΕΠΑΝΑΛΗΦΘΗΣΑΝ ΚΑΙ ΑΦΟΥ ΤΑ ΔΕΙΓΜΑΤΑ ΕΙΧΑΝ ΥΔΡΟΓΟΝΩΘΕΙ. ΜΕΤΑ ΤΗΝ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΤΩΝ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΩΝ ΒΡΕΘΗΚΕ ΠΩΣ ΣΤΑ ΔΕΙΓΜΑΤΑ ΜΕΓΑΛΥΤΕΡΟΥΠΑΧΟΥΣ ΓΙΑ ΟΛΕΣ ΤΙΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΕΣ ΚΑΙ ΠΕΔΙΑ ΥΠΕΡΙΣΧΥΕΙ Ο ΑΕ. ΓΙΑ ΤΑ ΠΙΟ ΛΕΠΤΑΔΕΙΓΜΑΤΑ ΚΑΙ ΓΙΑ ΠΙΟ ΥΨΗΛΑ ΠΕΔΙΑ ΚΥΡΙΑΡΧΕΙ Η ΑΗΗ ΕΝΩ ΓΙΑ ΜΙΚΡΟΤΕΡΑ ΠΕΔΙΑ ΣΤΙΣ ΥΨΗΛΟΤΕΡΕΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΕΣ (~3.3-4.2Κ) ΥΠΕΡΙΣΧΥΕΙ Ο ΑΕ ΕΝΩ ΣΤΙΣ ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΕΣ ΗΑΗΗ. ΟΙ ΔΙΑΦΟΡΕΣ ΑΥΤΕΣ ΕΞΗΓΗΘΗΚΑΝ ΒΑΣΕΙ ΤΩΝ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΩΝ ΧΡΟΝΩΝ ΣΚΕΔΑΣΗΣ. ΤΑΥΤΟΧΡΟΝΑ ΜΕΤΡΗΘΗΚΑΝ Ο ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΠΡΟΑΣΠΙΣΗΣ F ΚΑΙ Ο ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗΣ LANDE G. ΤΟ ΥΔΡΟΓΟΝΟ ΕΛΑΤΤΩΝΕΙ ΤΗΝ ΠΡΟΑΣΠΙΣΗ ΤΩΝ ΗΛΕΚΤΡ. ΚΑΙ ΑΛΛΑΖΕΙ ΤΗ ΔΟΜΗ ΤΩΝ ΖΩΝΩΝ ΤΟΥ PD.

THE SAMPLES INVESTIGATED IN THE PRESENT DISCUSSION ARE THIN FILMS OF PD AND PDH, 50A-600A IN THICKNESS. MEASUREMENTS OF THE RESISTIVITY AS A FUNCTION OF THE TEMPERATURE (1.8-4.2K) HAVE BEEN CARRIED OUT. THE MAGNETORESISTANCE AND THE HALL COEFFICIENT HAVE ALSO BEEN MEASURED AS A FUNCTION OF THE TEMPERATURE AND THE MAGNETIC FIELD (0-6T). THE RESISTANCE WAS FOUND TO INCREASE LOGARITHMICALLY AS THE TEMPERATURE DECREASES. THIS BEHAVIOUR IS IN ACCORDANCE WITH BOTH THE WEAK LOCALIZATION (WL) AND THE ELECTRON-ELECTRON INTERACTIONS (EEI). THE MAGNETORESISTANCE OF ALL THE FILMS IS FOUND TO BE POSITIVE. FITTING THE DATA TOTHE THEORETICAL EXPRESSIONS THE CHARACTERISTIC FIELDS, THE SCREENING FACTOR AS WELL AS THE LΑNDE FACTOR ARE OBTAINED. MEASURING THE HALL COEFFICIENT RH ASA FUNCTION OF THE MAGNETORESISTANCE, AT THE SAME TEMPERATURES, IT IS FOUND THAT FOR THE THICKER FILMS WL IS THE DOMINATING MECHANISM, WHILST FOR THE THINNER FILMS EEI DOMINATE AT HIGH FIELDS. AT LOW FIELDS THERE IS A CHARACTERISTIC TEMPERATURE AT WHICH THE DOMINATING MECHANISM CHANGES FROM WL TO EEI. THIS CHANGE IS ATTRIBUTED TO THE STRENGTH OF ELECTRON-ELECTRON AND ELECTRON-PHONONSCATTERING.