Κατασκευή και χαρακτηρισμός νανοδομών ως άνοδοι για μπαταρίες ιόντων λιθίου
Περίληψη
Αυτή η εργασία στοχεύει στη διερεύνηση των ηλεκτροχημικών ιδιοτήτων διαφόρων νανοδομημένων σωματιδίων πυριτίου. Για το σκοπό αυτό, παρασκευάστηκαν νανοσωματίδια πυριτίου ενθυλακωμένα από ένα πέπλο γραφενίου μέσω μιας διαδικασίας άλεσης σφαιρών. Επιπλέον, δημιουργήθηκαν σωματίδια τυλιγμένο με γραφένιο και ενδιάμεσο κενό χώρο, με δύο διαφορετικούς όγκους κενού χρησιμοποιώντας θερμικά αναπτυγμένο διοξείδιο του πυριτίου ως στρώμα θυσίας, άλεση σφαιρών για την επικάλυψη με γραφένιο και υδροφθόριο (HF) για την χάραξη του SiO2. Επιπλέον, προκειμένου να προσφέρουμε μια ευρύτερη εικόνα για την ηλεκτροχημική συμπεριφορά του κοίλου εξωτερικού κελύφους Si nps, ετοιμάσαμε επίσης όλα τα ενδιάμεσα στάδια της διεργασίας και των αντίστοιχων ηλεκτροδίων. Η μορφολογία όλων των σωματιδίων αποκάλυψε την ύπαρξη ενθυλάκωσης γραφενίου, κενού και υπολειμματικού στρώματος διοξειδίου του πυριτίου ανάλογα με τη διαδικασία κάθε νανοσωματίδιο. Αντίστοιχα ηλεκτρόδια παρασκευάστηκαν και μελετήθηκαν σε με γαλβανοστατι ...
περισσότερα
Περίληψη σε άλλη γλώσσα
Silicon nanoparticles are used to enhance the anode specific capacity for the lithium-ion cell technology. Due to silicon’s mechanical deficiencies during lithiation and delithiation, one of the many strategies that have been proposed consists of enwrapping the silicon nanoparticles with graphene and create a void area between them so as to accommodate the large volume changes that occur in the silicon nanoparticle. This work aims to investigate the electrochemical performance and the associated kinetics of various nanostructured silicon particles. To this end, we prepared silicon nanoparticles (nps) encapsulated by a graphene veil through a ball milling process. Moreover, we created silicon nps with a hollow outer layer enwrapped with graphene with two different void volumes by using thermally grown silicon dioxide as a sacrificial layer, ball milling to enwrap silicon particles with graphene and hydro fluorine (HF) to etch the sacrificial SiO2 layer. In addition, in order to offer a ...
περισσότερα
![]() | |
![]() | Κατεβάστε τη διατριβή σε μορφή PDF (10.98 MB)
(Η υπηρεσία είναι διαθέσιμη μετά από δωρεάν εγγραφή)
|
Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.
|
Στατιστικά χρήσης

ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.

ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
Πηγή: Google Analytics.

ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.

ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.