ΟΠΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ Α-SI:H, ΜC-SI:H ΚΑΙ POLY-SI

Abstract

ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ Α-SI:H, ΜC-SI:H/Α-SI:H ΠΟΥ ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΗΝ ΤΕΧΝΙΚΗ RF MAGNETRON SPUTTERING ΚΑΙ ΥΜΕΝΙΑ POLY-SI ΠΟΥ ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΑΝ ΜΕ ΑΝΑΚΡΥΣΤΑΛΛΩΣΗ LPCVD ΥΜΕΝΙΩΝ Α-SI:H, ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΙΣ ΟΠΤΙΚΕΣ ΚΑΙ ΜΗ ΚΑΤΑΣΤΡΕΠΤΙΚΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΤΗΣ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗΣ ΕΛΛΕΙΨΟΜΕΤΡΙΑΣ (Φ.Ε.) ΚΑΙ ΤΗΣ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑΣ RAMAN (Φ.R.). ΣΤΗΝΠΕΡΙΠΤΩΣΗ ΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ Α-SI:H ΚΑΙ ΜC-SI:H ΔΙΕΡΕΥΝΗΘΗΚΕ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Ο ΡΟΛΟΣΤΟΥ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΣΤΟ ΟΜΟΙΟΠΟΛΙΚΟ ΤΥΧΑΙΟ ΠΛΕΓΜΑ ΤΟΥ Α-SI:H, Η ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΚΑΙ Η ΕΞΑΚΡΙΒΩΣΗ ΤΟΥ ΤΥΠΟΥ ΤΩΝ ΔΕΣΜΩΝ SI-H ΣΤΙΣ ΟΠΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΚΑΙ ΤΑ ΔΟΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΑΥΤΩΝ ΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΕΝΩ ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΣΤΗΚΑΝ ΕΚΕΙΝΕΣ ΟΙ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΙ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣΠΟΥ ΟΔΗΓΟΥΝ ΣΤΑ ΚΑΛΥΤΕΡΗΣ ΠΟΙΟΤΗΤΑΣ ΥΜΕΝΙΑ. ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ ΕΠΙΣΗΣ Ο ΡΟΛΟΣ ΤΟΥ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΣΤΟ ΜΕΤΑΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟ ΤΗΣ ΑΜΟΡΦΗΣ ΣΕ ΜΙΚΡΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗ ΦΑΣΗ ΚΑΙ ΔΕΙΧΤΗΚΕΟΤΙ ΜΕ ΤΗΝ ΤΕΧΝΙΚΗ ΤΗΣ Φ.Ε. ΜΠΟΡΕΙ ΝΑ ΕΚΤΙΜΗΘΕΙ ΤΟ ΜΕΓΕΘΟΣ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΩΝ. ΓΙΑ ΤΑ ΥΜΕΝΙΑ POLY-SI, ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΩΝ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΣΤΑ ΠΟΙΟΤΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΚΑΙ ΤΟ ΜΕΓΕΘΟΣ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΩΝ, ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗΚΑΤΑΣΤΑΣΗ ΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ ΚΑΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΗΚΑΝ ΟΙ ΕΝΑΠΟΜΕΝΟΥΣΕΣ ΤΑΣΕΙΣ ΣΤΑ ΥΜΕΝΙΑ ΚΑΙ ΤΑ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑΤΑ. ΤΕΛΟΣ, ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΟΥ ΜΕΓΕΘΟΥΣ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΩΝ ΣΤΗ ΔΙΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΠΟΚΡΙΣΗ ΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ POLY-SI.

THIN FILMS OF Α-SI:H AND LAYERED STRUCTURES OF ΜC-SI:H/Α-SI:H GROWN BY RF MAGNETRON SPUTTERING AS WELL AS POLY-SI THIN FILMS PREPARED BY RECRYSTALLIZATIONOF LPCVD Α-SI HAVE BEEN STUDIED WITH THE OPTICAL AND NON-DESTRUCTIVE TECHNIQUE OS SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY (S.E.) AND RAMAN SPECTROSCOPY (R.S.). IN THECASE OF Α-SI:H AND ΜC-SI:H/Α-SI:H FILMS, THE INFLUENCE OF THE SI-H BONDS ON THE OPTICAL PROPERTIES AND THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF THESE FILMS, HASBEEN STUDIED. ON THE OTHER HAND, THE ROLE OF THE HYDROGEN ON THE TRANSFORMATION PROCESS OF THE Α-SI TO ΜC-SI HAS BEEN STUDIED WHILE A DEPENDANCE OF THE PARAMETERS DESCRIBED THE ELECTRONIC PROPERTIES OF ΜC-SI:H ON THE CRYSTALLIC SIZE HAS BEEN ALSO STUDIED. IN THE CASE OF POLY-SI FILMS, THE INFLUENCE OF THE GROWTH PARAMETERS ON THE CRYSTALLITE SIZE HAS BEEN STUDIED WHILE THE FORMATION A SILICON-OXYNITRIDE LAYER ON THE SURFACE OF POLY-SI HAS BEEN DEMONSTRATED. FURTHERMORE, THE RESIDUAL STRESSES IN THE POLY-SI FILMS AND THE SUBSTRATES HAVE BEEN ESTIMATED WHILE THE DEPENDANCE OF THE OPTICAL RESPONCE OF POLY-SI ON THE GRAIN SIZE HAS BEEN DISCUSSED.