ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ, ΛΟΓΩ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ LASER

Περίληψη

Η ΙΣΧΥΡΗ ΕΣΤΙΑΣΗ ΔΕΣΜΗΣ LASER ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΕΠΑΓΕΙ ΜΙΑ ΑΣΥΜΜΕΤΡΗ ΔΙΕΥΡΥΝΣΗ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ RAMAN ΠΡΩΤΗΣ ΤΑΞΗΣ ΠΡΟΣ ΤΙΣ ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΕΣ ΣΧΕΤΙΚΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ. ΕΓΙΝΕ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΠΙΣΤΩΣΗ ΑΥΤΗΣ ΤΗΣ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΚΑΙ ΑΠΟΔΕΙΧΘΗΚΕ,ΜΕ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΥΣ, ΟΤΙ ΟΙ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΚΕΣ ΚΑΤΑΝΟΜΕΣ ΠΟΥ ΠΡΟΚΥΠΤΟΥΝ ΣΑΝ ΛΥΣΗ ΤΗΣ ΕΞΙΣΩΣΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΠΟΡΟΥΝ ΝΑ ΠΑΡΑΓΟΥΝ ΣΥΝΟΛΙΚΟ ΦΑΣΜΑ ΜΕ ΑΝΑΛΟΓΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑ. ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΕΞΑΡΤΗΣΗ ΑΥΤΩΝ ΤΩΝ ΦΑΙΝΟΜΕΝΩΝ ΑΠΟ ΤΟ ΜΗΚΟΣ ΚΥΜΑΤΟΣ ΤΟΥ LASER ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΥΠΟΒΑΘΡΟΥ. ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ ΕΠΙΣΗΣ Η ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΠΡΟΣΜΕΙΞΕΙΣ ΒΟΡΙΟΥ. ΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ ΦΑΣΜΑΤΑ ΣΥΜΠΙΠΤΟΥΝ ΑΡΚΕΤΑ ΚΑΛΑ ΜΕ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΩΝ ΠΟΥ ΒΑΣΙΖΟΝΤΑΙ ΣΤΟ ΘΕΡΜΙΚΟ ΜΟΝΤΕΛΟ. ΠΡΟΤΕΙΝΕΤΑΙ ΤΕΛΟΣ ΜΙΑ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΑΠΟΣΥΝΕΛΙΞΗΣ ΤΗΣ ΚΑΤΑΝΟΜΗΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΩΝ ΑΠΟ ΤΑ ΦΑΣΜΑΤΑ RAMAN ΚΑΙ ΕΚΤΙΜΩΝΤΑΣ ΤΑ ΟΡΙΑ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΑΥΤΗΣ ΤΗΣ ΜΕΘΟΔΟΥ.

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE SHARP FOCUSING OF AN INTENSE LASER BEAM ON THE SURFACE OF CRYSTALLINE SILICON INDUCES AND ASSYMETRIC BROADENING OF THE FIRST ORDER RAMAN SPECTRUM, TOWARDSTHE LOWER RELATIVE FREQUENCIES. WE CONFIRM THIS SYSTEMATIC BEHAVIOUR AND INTERPRET IT AS THE RESULT OF AN INTEGRATION, OVER THE TOTAL SCATTERING VOLUME, OF ELEMENTARY CONTRIBUTIONS. THE CHARACTERISTICS OF THESE DIFFERENTIAL CONTRIBUTIONS (BANDS) VARY ACCORDING TO THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE OPTICAL FUNCTIONSAND OF THE UNHARMONIC AND THERMOELASTIC PROPERTIES OF THE MATERNAL. THESE EFFECTS HAVE BEEN STUDIED FOR VARIOUS WAVE LENGTHS, BACKGROUND TEMPERATURES, AND FOR HIGH CONCENTRATION OF P-TYPE CARRIERS. WE FIND VERY GOOD AGREEMENT BETWEEN THE EXPERIMENTAL RESULTS AND THE THEORETICAL PREDICTIONS, BASED ON THE THERMAL MODEL. FINALLY A DECONVOLUTION PROCEDURE IS PROPOSED IN ORDER TO EXTRACT THE TEMPERATURE DISTRIBUTION FROM THE RAMAN SPECTRA.

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/0701
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/0701
ND
0701
Εναλλακτικός τίτλος
SPECTROSCOPIC STUDY OF TEMPERATURE GRADIENTS ON SEMICONDUCTOR SURFACE, DUE TO LASER RADIATION
Συγγραφέας
Ράπτης, Ιωάννης
Ημερομηνία
1988
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Τμήμα Γενικό
Εξεταστική επιτροπή
ΑΝΑΣΤΑΣΑΚΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ
ΛΙΑΡΟΚΑΠΗΣ ΕΥΘΥΜΙΟΣ
ΖΟΥΜΠΟΥΛΗΣ ΗΛΙΑΣ
ΤΡΙΜΠΕΡΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΙΔΗΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
ΑΣΥΜΜΕΤΡΗ ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ; Βαθμίδες θερμοκρασίας; ΔΕΣΜΗ LASER; ΜΕΤΑΤΟΠΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ; Πυρίτιο; ΦΑΣΜΑ RAMAN ΠΡΩΤΗΣ ΤΑΞΗΣ; Φασματοσκοπία Raman
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
170 σ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)